2015/01/22
 

採用 5 公釐 x 6 公釐 QFN 封裝並具極低 Rdson 的 25 V 和 30 V 裝置

德州儀器 (TI) 宣佈推出 NexFET™ 產品線的 11 款新型 N 通道功率 MOSFET,包括擁有業界最低導通電阻 (Rdson) 且採用 QFN 封裝的 25 V CSD16570Q5B 和 30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和 ORing 應用。此外,TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET™ CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1公釐的纖巧型封裝情況下實現了比同類競爭裝置低 84% 的極低電阻。如需取得更多資訊、樣品或參考設計,敬請參訪 www.ti.com/csd16570q5b-pr-tw

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率,同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如: 25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ 的最大 Rdson ,而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大Rdson。請閱讀一篇部落格,題為「針對採用熱插拔和 ORing FET 控制器設計的功率 MOSFET 安全工作區 (SOA) 曲線」。下載一款採用 TI CSD17570Q5B NexFET 的 12 V、60 A 熱插拔參考設計

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的 LM27403 搭配使用,以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET 功率 MOSFET 則可與諸如 TPS24720 等 TI 熱插拔控制器配套使用。請下載應用筆記「穩固的熱插拔設計」,瞭解如何將一個電晶體選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

新型 NexFET 產品及主要特點

裝置型號 應用 Vds/Vgs 封裝 (公釐) Rdson最大值 (mΩ) Qg (4.5) (nC)
4.5V 10V
CSD16570Q5B ORing / 熱插拔 25/20 QFN 5x6 (Q5B) 0.82 0.59 95
CSD17570Q5B 30/20 0.92 0.69 93
CSD17573Q5B 低端降壓 / ORing / 熱插拔 30/20 QFN 5x6 (Q5B) 1.45 1.0 49
CSD17575Q3 低端降壓 30/20 QFN 3.3x3.3 (Q3) 3.2 2.3 23
CSD17576Q5B QFN 5x6 (Q5B) 2.9 2.0 25
CSD17577Q5A 高端降壓 30/20 QFN 5x6 (Q5A) 5.8 4.2 13
CSD17577Q3A QFN 3.3x3.3 (Q3A) 6.4 4.8 13
CSD17578Q3A 9.4 7.3 7.9
CSD17579Q3A 14.2 10.2 5.3
CSD85301Q2 雙路獨立 FET 20/10 QFN 2x2 (Q2) 27 不適用 4.2
CSD13383F4 負載開關 12/10 FemtoFET 0.6x1.0 (0402) 44 不適用 2.0

供貨情況、封裝和價格

FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可透過 TI 及其授權販售商批量採購,前者建議售價為每一千顆美金 0.10 元,後兩者的建議售價為每一千顆美金 1.08 元。

關於 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

TI 的 NexFET 功率 MOSFET 改善了高功率計算、網路、工業和電源應用中的能源效率。此類高頻、高效率的類比功率 MOSFET 讓系統設計人員能夠運用現有最先進的 DC/DC 電源轉換解決方案。

取得有關 TI 電源管理產品系列的更多詳情:

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