2018/11/01
 

TI 推出新型且立即可用的600-V GaN FET功率級產品組合實現高達10 kW應用

通過2000萬小時的裝置可靠度測試,高壓GaN FET整合驅動與保護功能並在工業和電信應用中將功率密度提高一倍

德州儀器(TI)近日宣布推出新型且立即可用的600 V氮化鎵(GaN)、50mΩ和70mΩ功率級產品組合,能支援高達10 kW應用。與應用於AC / DC電源供應器、機器人、可再生能源、電網基礎設施、通訊和個人電子的場效應電晶體(FETs)相比,LMG341x產品系列能協助工程師打造更小、更高效且更高性能的設計。欲瞭解更多資訊,請參考Link-LMG3410R050Link-LMG3410R070Link-LMG3411R070

TI 的GaN FET產品系列擁有整合獨特的功能與保護特性,不僅簡化設計,同時實現更高的系統可靠度與最佳化高壓電源供應的性能,進一步為傳統串接(cascade)和獨立(stand-alone)的GaN FET提供了智慧替代解決方案。透過整合的 <100 ns電流限制和過熱偵測 (overtemperature detection) 功能,此裝置可防止意外的直通事件 (shoot-through)與熱失控 (thermal runaway)發生,且系統介面訊號提供了自我監測的能力。

LMG3410R050、LMG3410R070 與 LMG3411R070的主要特性和優勢

  • 更小、更有效率的解決方案:與矽的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFETs)相比,TI的整合式GaN功率級可將功率密度提高一倍,並降低功率損耗達80%。每個裝置皆具備1 MHz高速開關頻率和高達100 V / ns的電壓上升斜率(slew rates)。
  • 系統可靠度:此產品組合通過2000萬小時的裝置可靠度測試,包括加速與加速及in-application硬開關試驗。此外,每款裝置均提供整合的散熱、高速與100 ns過流保護,以防止發生直通和短路事件。
  • 適用於各式功率級別的裝置:在50mΩ或70mΩ條件下,產品組合中的每個裝置均提供GaN FET、驅動器與保護特性,為小於100 W至10 kW的應用提供單晶片解決方案。

於德國慕尼黑電子展(electronica)造訪TI

  • TI將於德國慕尼黑電子展(2018年11月13日至16日)的C4展廳131攤位展示10kW的雲端電網應用。此為TI與西門子聯合開發,其中採用了TI的LMG3410R050 600V GaN FET,並整合驅動器和保護功能。與傳統的矽設計相比,不僅能讓工程師實現99%的效率,更減少了功率零組件尺寸達30%。

封裝、供貨與定價

  • 這些裝置均採用8mm×8mm split-pad、四方扁平無引線(QFN)封裝,現已可於TI store購買。LMG3410R050LMG3410R070LMG3411R070的售價分別為 $18.69美金、$16.45美金與 $16.45美金(基本訂購量以1000個為單位)。

瞭解更多有關LMG3410R050、LMG3410R070 與 LMG3411R070的產品資訊

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