2018년10월30일

2,000 시간 디바이스 신뢰성 테스트 거친 드라이버 보호 기능이 통합된 고전압 GaN FET

산업용 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 높여

 

TI 코리아 (대표이사 루크 , ti.com/kr)  – TI는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신 및 개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 FET(field-effect transistors)보다 더 작고 효율적이며, 고성능의 설계가 가능하다. (보다 자세한 내용은 http://www.ti.com/lmg3410r050-pr-kr, http://www.ti.com/lmg3410r070-pr-krhttp://www.ti.com/lmg3411r070-pr-kr 참조)

TI의 GaN FET 디바이스 제품군은 고유 기능과 보호 기능을 통합하여 고전압 전원 공급 장치 설계를 간소화하면서 시스템 신뢰성을 높이고 성능을 최적화함으로써 기존의 캐스케이드 및 독립형 GaN FET에 대한 지능적인 대안을 제공한다. 이들 제품은 100ns 미만의 전류 제한 및 과열 감지 기능을 통합하고 있어 의도하지 않은 슛스루 현상으로부터 디바이스를 보호하고 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다.

LMG3410R050, LMG3410R070 LMG3411R070 주요 기능 장점

  • 작고 효율적인 솔루션: TI의 통합 GaN 전력단은 실리콘 MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistors)에 비해 전력 밀도를 두 배 증가시키고, 손실은 80% 감소시킨다. 각 디바이스는 고속 1MHz 스위칭 주파수 및 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다.
  • 시스템 신뢰성: 이 포트폴리오는 가속 테스트 및 애플리케이션 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거쳐 검증된다. 또한 각 디바이스는 슛스루 및 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다.
  • 모든 전력 레벨에 적합한 디바이스: 포트폴리오의 각 디바이스는 50mΩ 또는 70mΩ의 GaN FET, 드라이버 및 보호 기능을 통합하여 100W미만에서 10kW의 애플리케이션을 위한 단일 칩 솔루션을 제공한다.

TI, 일렉트로니카 참가

TI는 2018년 11월 13일부터 16일까지 독일 메세 뮌헨에서 개최하는 일렉트로니카 2018(electronica 2018)에서 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 시연한다. TI와 지멘스가 공동 개발해 직접 선보이는 데모는 드라이버 및 보호 기능을 통합한 TI의 LMG3410R050 600V GaN FET를 사용해 99% 효율을 달성하고 기존 실리콘 설계에 비해 최대 30%까지 전력 부품 크기를 줄일 수 있다. (홀 C4 – 부스 131)

패키지, 공급시기 가격

이들 제품은 8mm x 8mm 분할 패드, QFN(quad flat no-lead) 패키지로 제공되며, 현재 TI store에서 구입할 수 있다. LMG3410R050, LMG3410R070LMG3411R070의 가격은 1,000개 수량 기준으로 각각 18.69달러, 16.45달러 및 16.45달러이다.

TI LMG3410R050, LMG3410R070 LMG3411R070 대한 보다 자세한 정보:

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