2016년06월22일

기존의 60V 부하 스위치 보다 80% 작아진 극소형 LGA 패키지

TI 코리아 (대표이사 켄트 전, Kent Chon, www.ti.com/kr)  – TI (대표이사 켄트 전)는 업계 최저 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품을 출시한다고 밝혔다. 신제품 CSD18541F5은 기존의 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또한, 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공되어, SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80% 절감된 크기이다. (보다 자세한 정보 및 샘플 주문은 www.ti.com/CSD18541F5-pr-kr 참조)

CSD18541F5 MOSFET은 54mΩ의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며, 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화되었다. 또한, 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재를 용이하게 한다. (관련 블로그 글 “새로운 60V FemtoFET MOSFET을 사용함으로써 산업용 풋프린트 축소” 참조)

CSD18541F5은 TI NexFET™ 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게한다. (설계 요약본에서 LGA 패키지에 관한 보다 자세한 정보 참조)

CSD18541F5의 주요 기능 및 장점

  • 10V 게이트-대-소스(VGS) 전압조건에서 기존의 60V 부하 스위치 보다 90% 작은 54mΩ의 극히 낮은 Rdson을 달성하여 전력 손실을 줄인다.
  • 극히 소형화된 1.53mm x 0.77mm x 0.35mm LGA 패키지로, SOT-23 패키지의 기존 부하 스위치보다 80% 작은 크기를 자랑하며 PCB 공간을 절약한다.
  • 제조공정에 용이한 0.5mm 패드 피치이다.
  • ESD(electrostatic discharge) 보호 다이오드를 통합함으로써 MOSFET 게이트를 과전압으로부터 보호한다.

패키지, 공급시기 및 가격
CSD18541F5는 TI 및 TI 공인 대리점을 통해서 현재 대량으로 공급되고 있다. 3핀 LGA 패키지로 제공되며, 가격은 1,000개 수량 기준으로 개당 0.14달러이다. 또한 PSpice 트랜지언트 모델을 제공한다.

TI의 NexFET 전력 MOSFET
TI의 NexFET 전력 MOSFET은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 산업용, 전원 공급 장치의 에너지 효율을 향상시킨다. 이들 고주파, 고효율 아날로그 전력 MOSFET은 시스템 개발자들을 위해서 가장 향상된 DC/DC 전력 변환 솔루션을 제공한다.

TI의 전원 관리에 대한 보다 자세한 정보:

 

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