Gestützt auf Zuverlässigkeitstests im Umfang von 20 Millionen Stunden, sorgen die Hochspannungs-GaN-FET-Stufen mit integrierten Treiber- und Schutzfunktionen für eine Verdoppelung der Leistungsdichte in Industrie- und Telekommunikations-Anwendungen

 

DALLAS – Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) stellte heute ein neues Portfolio an umgehend einsatzbereiten, für 600 V ausgelegten und auf GaN-FETs mit Einschaltwiderständen von 50 mΩ und 70 mΩ beruhenden Leistungsstufen für Anwendungen bis 10 kW vor. Die LMG341x-Familie ermöglicht die Entwicklung kleinerer, effizienterer und leistungsfähigerer Designs, als es mit FETs auf Siliziumbasis möglich ist. Zu den Anwendungen gehören AC/DC-Netzteile, die Robotertechnik, erneuerbare Energien, die Netzinfrastruktur, die Telekommunikation und elektronische Kleingeräte. Weitere Informationen finden Sie auf LMG3410R050  LMG3410R070 und LMG3411R070.

29 Oktober, 2018

Die GaN-FET-Familie von TI stellt eine intelligente Alternative zu traditionellen, kaskadiert oder solo eingesetzten GaN-FETs dar, denn sie integriert spezielle Funktions- und Schutz-Features, die das Design vereinfachen, zuverlässigere Systeme ermöglichen und die Leistungsfähigkeit von Hochspannungs-Stromversorgungen optimieren. Dank der integrierten, in weniger als 100 ns ansprechenden Strombegrenzungs- und Überhitzungsschutz-Funktion sind die Bauelemente gegen unbeabsichtigte Shoot-Through-Ereignisse und thermisches Durchgehen geschützt. Systeminterface-Signale ermöglichen darüber hinaus eine Selbstüberwachungs-Funktionalität.

 

Wichtige Eigenschaften und Vorteile der Bausteine LMG3410R050, LMG3410R070 und LMG3411R070

  • Kleinere, effizientere Lösungen: Die integrierte GaN-Leistungsstufe von TI ergibt gegenüber MOSFETs auf Silizium-Basis eine Verdoppelung der Leistungsdichte und eine Reduzierung der Verluste um 80 %. Jeder Baustein kommt auf eine Schaltfrequenz von 1 MHz und Anstiegsraten bis zu 100 V/ns.
  • Systemzuverlässigkeit: Hinter dem Portfolio stehen 20 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests, darunter beschleunigte Tests und Hard-Switch-Tests in der Applikation. Zusätzlich bringt jeder Baustein einen integrierten Überhitzungsschutz und einen schnellen, binnen 100 ns ansprechenden Überstromschutz zur Abwendung von Shoot-Through- und Kurzschluss-Ereignissen mit.
  • Für jedes Leistungsniveau der richtige Baustein: Jedes Produkt des Portfolios enthält einen GaN-FET, einen Treiber und Schutzfunktionen, kombiniert mit einem Einschaltwiderstand von 50 mΩ oder 70 mΩ, sodass hier Single-Chip-Lösungen für Anwendungen mit Leistungen von unter 100 W bis 10 kW geboten werden.

 

TI auf der electronica

Texas Instruments präsentiert seine cloudbasierte 10 kW Grid Link Demonstration in Halle C4, Stand 131 auf der electronica (Messe München vom 13. bis 16. November 2018). Die gemeinsam von TI und Siemens entwickelte aktive Demonstration verwendet den 600 V GaN-FET des Typs LMG3410R050 von TI mit integrierten Treiber- und Schutzfunktionen, mit dem Ingenieure einen Wirkungsgrad von 99 % und eine bis zu 30-prozentige Größenreduzierung der Leistungs-Bausteine gegenüber traditionellen Silizium-Designs erzielen können.

 

Gehäuse, Verfügbarkeit und Preise

Die Bauelemente sind ab sofort im 8 mm x 8 mm großen Split-Pad-QFN-Gehäuse (Quad Flat No-lead) im TI Store verfügbar. Die Preise der Bausteine LMG3410R050, LMG3410R070 und LMG3411R070 betragen 18,69 US-Dollar, 16,45 US-Dollar und 16,45 US-Dollar (ab 1.000 Stück).

 

Weitere Informationen über die Produkte LMG3410R050, LMG3410R070 und LMG3411R070

 

Über Texas Instruments

Texas Instruments Incorporated (TI) ist ein weltweites Halbleiterdesign- und Produktionsunternehmen, das Analog-ICs und Embedded-Prozessoren entwickelt. Durch den Einsatz der hellsten Köpfe der Welt schafft TI Innovationen, die die Zukunft der Technologie gestalten. TI hilft mehr als 100.000 Kunden heute die Zukunft zu verändern. Erfahren Sie mehr unter http://www.ti.com.